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QS8M13TCR

QS8M13TCR

Solo per riferimento

Numero parte QS8M13TCR
PNEDA Part # QS8M13TCR
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 149.388
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

QS8M13TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteQS8M13TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
QS8M13TCR, QS8M13TCR Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 857,18 KB)
PDFQS8M13TCR Datasheet Copertura
QS8M13TCR Datasheet Pagina 2 QS8M13TCR Datasheet Pagina 3 QS8M13TCR Datasheet Pagina 4 QS8M13TCR Datasheet Pagina 5 QS8M13TCR Datasheet Pagina 6 QS8M13TCR Datasheet Pagina 7 QS8M13TCR Datasheet Pagina 8 QS8M13TCR Datasheet Pagina 9 QS8M13TCR Datasheet Pagina 10 QS8M13TCR Datasheet Pagina 11

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QS8M13TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 10V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT8

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BSL316CL6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

94pF @ 15V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

567mOhm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 50V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

562nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15200pF @ 25V

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