QH8JA1TCR
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| Numero parte | QH8JA1TCR |
| PNEDA Part # | QH8JA1TCR |
| Descrizione | 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.744 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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QH8JA1TCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | QH8JA1TCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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QH8JA1TCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
