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PZT2907AT1G

PZT2907AT1G

Solo per riferimento

Numero parte PZT2907AT1G
PNEDA Part # PZT2907AT1G
Descrizione TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 164.670
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PZT2907AT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePZT2907AT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
PZT2907AT1G, PZT2907AT1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 102,76 KB)
PDFSPZT2907AT1G Datasheet Copertura
SPZT2907AT1G Datasheet Pagina 2 SPZT2907AT1G Datasheet Pagina 3 SPZT2907AT1G Datasheet Pagina 4

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PZT2907AT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)10nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Potenza - Max1.5W
Frequenza - Transizione200MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

50W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

BDV65

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Potenza - Max

125W

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-218-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-218

BC846AW-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

BCX5616QTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

KSD1021GBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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