Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

PSMN9R5-30YLC,115

PSMN9R5-30YLC,115

Solo per riferimento

Numero parte PSMN9R5-30YLC,115
PNEDA Part # PSMN9R5-30YLC-115
Descrizione MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 126.450
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN9R5-30YLC Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN9R5-30YLC,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN9R5-30YLC, PSMN9R5-30YLC Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 902,8 KB)
PDFPSMN9R5-30YLC Datasheet Copertura
PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 2 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 3 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 4 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 5 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 6 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 7 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 8 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 9 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 10 PSMN9R5-30YLC Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • PSMN9R5-30YLC,115 Datasheet
  • where to find PSMN9R5-30YLC,115
  • Nexperia

  • Nexperia PSMN9R5-30YLC,115
  • PSMN9R5-30YLC,115 PDF Datasheet
  • PSMN9R5-30YLC,115 Stock

  • PSMN9R5-30YLC,115 Pinout
  • Datasheet PSMN9R5-30YLC,115
  • PSMN9R5-30YLC,115 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PSMN9R5-30YLC,115 Price
  • PSMN9R5-30YLC,115 Distributor

PSMN9R5-30YLC Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C44A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds681pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)34W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

I prodotti a cui potresti essere interessato

NTHS5441T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

SIHG25N60EFL-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

E

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

146mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2274pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

SI3473CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NVTGS3455T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

BSM180C12P2E202

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

204A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 35.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

+22V, -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1360W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Pacchetto / Custodia

Module

Venduto di recente

HCS3920FTL500

HCS3920FTL500

Stackpole Electronics

RES 500 UOHM 1% 5W 3920

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

CLF7045T-2R2N

CLF7045T-2R2N

TDK

FIXED IND 2.2UH 4.3A 14.6 MOHM

MPZ1608S221ATA00

MPZ1608S221ATA00

TDK

FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

BLM15AG221SN1D

BLM15AG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

744230900

744230900

Wurth Electronics

CMC 550MA 2LN 90 OHM SMD

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

Abracon

CRYSTAL 26.0000MHZ 10PF SMD

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

4TPE220MAZB

4TPE220MAZB

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 220UF 4V 1411

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206