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PSMN4R4-80BS,118

PSMN4R4-80BS,118

Solo per riferimento

Numero parte PSMN4R4-80BS,118
PNEDA Part # PSMN4R4-80BS-118
Descrizione MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 33.006
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN4R4-80BS Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN4R4-80BS,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN4R4-80BS, PSMN4R4-80BS Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 813,8 KB)
PDFPSMN4R4-80BS Datasheet Copertura
PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 2 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 3 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 4 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 5 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 6 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 7 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 8 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 9 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 10 PSMN4R4-80BS Datasheet Pagina 11

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PSMN4R4-80BS Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8400pF @ 40V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)306W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

74mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

275mW (Ta), 1.785W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

MTP50P03HDLG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

STB13NM60N

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPP10N10L

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

154mOhm @ 8.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 21µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

444pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

260mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.85nC @ 10V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

560mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

Pacchetto / Custodia

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