PSMN4R2-30MLDX
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| Numero parte | PSMN4R2-30MLDX |
| PNEDA Part # | PSMN4R2-30MLDX |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.906 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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PSMN4R2-30MLDX Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PSMN4R2-30MLDX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
PSMN4R2-30MLDX, PSMN4R2-30MLDX Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 717,78 KB)
  
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PSMN4R2-30MLDX Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1795pF @ 15V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
| Pacchetto / Custodia | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
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