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PSMN1R5-30YL,115

PSMN1R5-30YL,115

Solo per riferimento

Numero parte PSMN1R5-30YL,115
PNEDA Part # PSMN1R5-30YL-115
Descrizione MOSFET N-CH 30V LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.926
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN1R5-30YL Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN1R5-30YL,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN1R5-30YL, PSMN1R5-30YL Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 978,1 KB)
PDFPSMN1R5-30YL Datasheet Copertura
PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 2 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 3 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 4 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 5 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 6 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 7 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 8 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 9 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 10 PSMN1R5-30YL Datasheet Pagina 11

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PSMN1R5-30YL Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs77.9nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5057pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)109W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 240µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

63W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

DMN3029LFG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SI1070X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

385pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

236mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta), 17W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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