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PSMN0R7-25YLDX

PSMN0R7-25YLDX

Solo per riferimento

Numero parte PSMN0R7-25YLDX
PNEDA Part # PSMN0R7-25YLDX
Descrizione MOSFET N-CH 25V LFPAK56
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 155.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN0R7-25YLDX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN0R7-25YLDX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN0R7-25YLDX, PSMN0R7-25YLDX Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 273,32 KB)
PDFPSMN0R7-25YLDX Datasheet Copertura
PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 2 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 3 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 4 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 5 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 6 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 7 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 8 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 9 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 10 PSMN0R7-25YLDX Datasheet Pagina 11

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PSMN0R7-25YLDX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C300A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.72mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8320pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)158W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSOT-1023, 4-LFPAK

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

190V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

950mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 100V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V

Vgs (massimo)

+25V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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