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PSDC312E8427618NOSA1

PSDC312E8427618NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte PSDC312E8427618NOSA1
PNEDA Part # PSDC312E8427618NOSA1
Descrizione MOD IGBT STACK PSAO-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.606
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSDC312E8427618NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSDC312E8427618NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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PSDC312E8427618NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FD300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

370A

Potenza - Max

1950W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS900R08A2P2B32BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

180A

Potenza - Max

760W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

7.5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Y3-DCB

Pacchetto dispositivo fornitore

Y3-DCB

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

379A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

23.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Dual INT-A-PAK

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