PRMH9Z
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| Numero parte | PRMH9Z |
| PNEDA Part # | PRMH9Z |
| Descrizione | PRMH9/SOT1268/DFN1412-6 |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 53.388 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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PRMH9Z Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PRMH9Z |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
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PRMH9Z Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1µA |
| Frequenza - Transizione | 230MHz |
| Potenza - Max | 480mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1412-6 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione 230MHz Potenza - Max 350mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010B-6 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore SM6 |
