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PN4392_D75Z

PN4392_D75Z

Solo per riferimento

Numero parte PN4392_D75Z
PNEDA Part # PN4392_D75Z
Descrizione JFET N-CH 30V 625MW TO92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PN4392_D75Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePN4392_D75Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
PN4392_D75Z, PN4392_D75Z Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 282,2 KB)
PDFPN4393_D75Z Datasheet Copertura
PN4393_D75Z Datasheet Pagina 2 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 3 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 4 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 5 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 6 PN4393_D75Z Datasheet Pagina 7

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PN4392_D75Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 20V
Resistenza - RDS (On)60 Ohms
Potenza - Max625mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

2mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 80°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SSSMini3-F1

MV2N4857

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

6V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

40 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18 (TO-206AA)

J111RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SK33720SL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

2mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 80°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SSSMini3-F1

SST204-T1-E3

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4.5pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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SOT-23

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