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PN3563_D75Z

PN3563_D75Z

Solo per riferimento

Numero parte PN3563_D75Z
PNEDA Part # PN3563_D75Z
Descrizione RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.894
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PN3563_D75Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePN3563_D75Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
PN3563_D75Z, PN3563_D75Z Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 528,99 KB)
PDFPN3563_D75Z Datasheet Copertura
PN3563_D75Z Datasheet Pagina 2 PN3563_D75Z Datasheet Pagina 3 PN3563_D75Z Datasheet Pagina 4 PN3563_D75Z Datasheet Pagina 5 PN3563_D75Z Datasheet Pagina 6 PN3563_D75Z Datasheet Pagina 7

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PN3563_D75Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione1.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno14dB ~ 26dB
Potenza - Max350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 8mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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SD1275-01

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

70W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

M113

Pacchetto dispositivo fornitore

M113

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13.5dB

Potenza - Max

30W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1.5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.4A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microsemi

Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

2.7GHz ~ 3.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.7dB

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

MS1076

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

12dB

Potenza - Max

320W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 7A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M174

Pacchetto dispositivo fornitore

M174

BFR 183W E6327

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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