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PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

Solo per riferimento

Numero parte PMZB420UN,315
PNEDA Part # PMZB420UN-315
Descrizione MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMZB420UN Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMZB420UN,315
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMZB420UN, PMZB420UN Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 1.030,98 KB)
PDFPMZB420UN Datasheet Copertura
PMZB420UN Datasheet Pagina 2 PMZB420UN Datasheet Pagina 3 PMZB420UN Datasheet Pagina 4 PMZB420UN Datasheet Pagina 5 PMZB420UN Datasheet Pagina 6 PMZB420UN Datasheet Pagina 7 PMZB420UN Datasheet Pagina 8 PMZB420UN Datasheet Pagina 9 PMZB420UN Datasheet Pagina 10 PMZB420UN Datasheet Pagina 11

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PMZB420UN Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C900mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs490mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.98nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds65pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1006B-3
Pacchetto / Custodia3-XFDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

STD100N03LT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD7N25LZTM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

56W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

QS5U33TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT5

Pacchetto / Custodia

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

PMV32UP,215

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

510mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

T491B106K025AT

T491B106K025AT

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CAP TANT 10UF 10% 25V 1411

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XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

PIC18F2550-I/SO

PIC18F2550-I/SO

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IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

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1N4937-E3/54

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DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

S2B-13-F

S2B-13-F

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DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

MAX3243EEAI+T

MAX3243EEAI+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/5 28SSOP

SS14-E3/61T

SS14-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

LT1129IS8#PBF

LT1129IS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 700MA 8SOIC