PMXB65UPEZ
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| Numero parte | PMXB65UPEZ |
| PNEDA Part # | PMXB65UPEZ |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 40.560 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMXB65UPEZ Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMXB65UPEZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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PMXB65UPEZ Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 634pF @ 6V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 317mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
| Pacchetto / Custodia | 3-XDFN Exposed Pad |
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