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PMXB40UNEZ

PMXB40UNEZ

Solo per riferimento

Numero parte PMXB40UNEZ
PNEDA Part # PMXB40UNEZ
Descrizione MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.772
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMXB40UNEZ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMXB40UNEZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMXB40UNEZ, PMXB40UNEZ Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 736,05 KB)
PDFPMXB40UNEZ Datasheet Copertura
PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 2 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 3 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 4 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 5 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 6 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 7 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 8 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 9 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 10 PMXB40UNEZ Datasheet Pagina 11

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PMXB40UNEZ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds556pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010D-3
Pacchetto / Custodia3-XDFN Exposed Pad

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRFR210TR

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STB20N60M2-EP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2-EP

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta), 104A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4270pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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