PMV30XPEAR
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| Numero parte | PMV30XPEAR |
| PNEDA Part # | PMV30XPEAR |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V TO-236AB |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 598.338 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMV30XPEAR Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMV30XPEAR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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PMV30XPEAR Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1465pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 490mW (Ta), 5.435W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie SuperFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
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