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PMPB29XPE,115

PMPB29XPE,115

Solo per riferimento

Numero parte PMPB29XPE,115
PNEDA Part # PMPB29XPE-115
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMPB29XPE Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMPB29XPE,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMPB29XPE, PMPB29XPE Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 733,66 KB)
PDFPMPB29XPE Datasheet Copertura
PMPB29XPE Datasheet Pagina 2 PMPB29XPE Datasheet Pagina 3 PMPB29XPE Datasheet Pagina 4 PMPB29XPE Datasheet Pagina 5 PMPB29XPE Datasheet Pagina 6 PMPB29XPE Datasheet Pagina 7 PMPB29XPE Datasheet Pagina 8 PMPB29XPE Datasheet Pagina 9 PMPB29XPE Datasheet Pagina 10 PMPB29XPE Datasheet Pagina 11

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PMPB29XPE Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2970pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN2020MD-6
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4034pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

157W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

STW34NB20

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

TPHR6503PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.65mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960mW (Ta), 170W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

TPCA8A02-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSV-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3430pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

STB2N62K3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

620V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

STPS0560Z

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DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123

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Maxim Integrated

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IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

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TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

S202T01

S202T01

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SSR RELAY SPST-NO 2A 80-240V

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Bourns

RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP

ACPL-M43T-500E

ACPL-M43T-500E

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OPTOISOLATOR 4KV TRANSISTOR 5-SO

SMAJ30CA

SMAJ30CA

Bourns

TVS DIODE 30V 48.4V SMA

AC0603FR-0710RL

AC0603FR-0710RL

Yageo

RES SMD 10 OHM 1% 1/10W 0603

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

AP2202K-3.3TRG1

AP2202K-3.3TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

4N32SM

4N32SM

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