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PMN48XPAX

PMN48XPAX

Solo per riferimento

Numero parte PMN48XPAX
PNEDA Part # PMN48XPAX
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.276
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMN48XPAX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMN48XPAX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMN48XPAX, PMN48XPAX Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 1.109,87 KB)
PDFPMN48XPAX Datasheet Copertura
PMN48XPAX Datasheet Pagina 2 PMN48XPAX Datasheet Pagina 3 PMN48XPAX Datasheet Pagina 4 PMN48XPAX Datasheet Pagina 5 PMN48XPAX Datasheet Pagina 6 PMN48XPAX Datasheet Pagina 7 PMN48XPAX Datasheet Pagina 8 PMN48XPAX Datasheet Pagina 9 PMN48XPAX Datasheet Pagina 10 PMN48XPAX Datasheet Pagina 11

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PMN48XPAX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.1A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HVSON (6x5)

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

ZXMN10A25K

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

859pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.11W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STB20NM50-1

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

550V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

192W (Tc)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

AON7264E

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

27.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP (3x3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

SSM3K106TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVI

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UFM

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Venduto di recente

WSL25122L000FEA

WSL25122L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1W 2512

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

NLV32T-068J-EF

NLV32T-068J-EF

TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

74438356150

74438356150

Wurth Electronics

FIXED IND 15UH 1.9A 230MOHM SMD

NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

TDK

FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

IHLP2525CZERR10M01

IHLP2525CZERR10M01

Vishay Dale

FIXED IND 100NH 32.5A 1.7 MOHM

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

6TPE330MIL

6TPE330MIL

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

16SVPF180M

16SVPF180M

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD