Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

PMN23UN,165

PMN23UN,165

Solo per riferimento

Numero parte PMN23UN,165
PNEDA Part # PMN23UN-165
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.354
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMN23UN Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMN23UN,165
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMN23UN, PMN23UN Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 203,73 KB)
PDFPMN23UN Datasheet Copertura
PMN23UN Datasheet Pagina 2 PMN23UN Datasheet Pagina 3 PMN23UN Datasheet Pagina 4 PMN23UN Datasheet Pagina 5 PMN23UN Datasheet Pagina 6 PMN23UN Datasheet Pagina 7 PMN23UN Datasheet Pagina 8 PMN23UN Datasheet Pagina 9 PMN23UN Datasheet Pagina 10 PMN23UN Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • PMN23UN,165 Datasheet
  • where to find PMN23UN,165
  • NXP

  • NXP PMN23UN,165
  • PMN23UN,165 PDF Datasheet
  • PMN23UN,165 Stock

  • PMN23UN,165 Pinout
  • Datasheet PMN23UN,165
  • PMN23UN,165 Supplier

  • NXP Distributor
  • PMN23UN,165 Price
  • PMN23UN,165 Distributor

PMN23UN Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds740pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457

I prodotti a cui potresti essere interessato

IXTH21N50

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

MegaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

RS1E200BNTB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HSOP

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

DMT31M6LPS-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7019pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI5060-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

AUXS20956S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

STP9NK60ZD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperFREDmesh™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Venduto di recente

8121-RC

8121-RC

Bourns

COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH

DG212BDY

DG212BDY

Vishay Siliconix

IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

WM8962ECSN/R

WM8962ECSN/R

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

742792096

742792096

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0805 1LN

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

MC14071BD

MC14071BD

ON Semiconductor

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

MC14040BDR2G

MC14040BDR2G

ON Semiconductor

IC COUNTER 12BIT CMOS 16SOIC

LPC1788FBD208,551

LPC1788FBD208,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 208LQFP

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 1.25V 8MSOP

DEA1X3D470JN2A

DEA1X3D470JN2A

Murata

CAP CER 47PF 2KV SL RADIAL