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PMGD400UN,115

PMGD400UN,115

Solo per riferimento

Numero parte PMGD400UN,115
PNEDA Part # PMGD400UN-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.680
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMGD400UN Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMGD400UN,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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PMGD400UN Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C710mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.89nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 25V
Potenza - Max410mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 68mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

35000pF @ 10V

Potenza - Max

1875W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

278A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

700nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

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