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PMF63UNEAX

PMF63UNEAX

Solo per riferimento

Numero parte PMF63UNEAX
PNEDA Part # PMF63UNEAX
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 20V 2A SC70
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.164
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMF63UNEAX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMF63UNEAX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMF63UNEAX, PMF63UNEAX Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 242,91 KB)
PDFPMF63UNEAX Datasheet Copertura
PMF63UNEAX Datasheet Pagina 2 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 3 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 4 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 5 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 6 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 7 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 8 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 9 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 10 PMF63UNEAX Datasheet Pagina 11

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PMF63UNEAX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.85nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds289pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)395mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 18V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

BUK663R5-30C,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4707pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

158W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTM50N20

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AE

Pacchetto / Custodia

TO-204AE

SSM3J36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 180µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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