PMEG3010ESBZ
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| Numero parte | PMEG3010ESBZ |
| PNEDA Part # | PMEG3010ESBZ |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.136 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMEG3010ESBZ Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMEG3010ESBZ |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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PMEG3010ESBZ Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 565mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3.2ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 45µA @ 30V |
| Capacità @ Vr, F | 32pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 2-XDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DSN1006-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
