PMDXB600UNEZ
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| Numero parte | PMDXB600UNEZ |
| PNEDA Part # | PMDXB600UNEZ |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 153.000 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMDXB600UNEZ Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMDXB600UNEZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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PMDXB600UNEZ Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 600mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
| Potenza - Max | 265mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3281pF @ 25V Potenza - Max 68W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 30V Potenza - Max 325mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore U-WLB1010-4 |
