PHT11N06LT,135
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| Numero parte | PHT11N06LT,135 |
| PNEDA Part # | PHT11N06LT-135 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.196 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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PHT11N06LT Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PHT11N06LT,135 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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PHT11N06LT Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±13V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
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