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PHB33NQ20T,118

PHB33NQ20T,118

Solo per riferimento

Numero parte PHB33NQ20T,118
PNEDA Part # PHB33NQ20T-118
Descrizione MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.196
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PHB33NQ20T Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePHB33NQ20T,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PHB33NQ20T, PHB33NQ20T Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 682,24 KB)
PDFPHB33NQ20T Datasheet Copertura
PHB33NQ20T Datasheet Pagina 2 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 3 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 4 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 5 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 6 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 7 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 8 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 9 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 10 PHB33NQ20T Datasheet Pagina 11

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PHB33NQ20T Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32.7A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)230W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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PMPB13XNE,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2195pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN2020MD-6

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

SPP20N65C3XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

208W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

RJK0301DPB-02#J0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+16V, -12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-LFPAK

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

IPP100N04S204AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

172nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRFR7446PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

98W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Venduto di recente

AT49F040-12TI

AT49F040-12TI

Microchip Technology

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

293D226X0010B2TE3

293D226X0010B2TE3

Vishay Sprague

CAP TANT 22UF 20% 10V 1411

AD5322BRMZ-REEL

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Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

AD420ARZ-32-REEL

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Analog Devices

IC DAC 16BIT V OR A-OUT 24SOIC

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 1.25V 8MSOP

ATXMEGA32E5-AUR

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Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 32TQFP

CMSH1-40 TR13

CMSH1-40 TR13

Central Semiconductor Corp

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

RCLAMP0854P.TCT

RCLAMP0854P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

CDBU0130L-HF

CDBU0130L-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

SI5328B-C-GMR

SI5328B-C-GMR

Silicon Labs

IC CLK MULTIPLIER ETH 36QFN