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PH6030L,115

PH6030L,115

Solo per riferimento

Numero parte PH6030L,115
PNEDA Part # PH6030L-115
Descrizione MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.916
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PH6030L Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePH6030L,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PH6030L, PH6030L Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 156,81 KB)
PDFPH6030L Datasheet Copertura
PH6030L Datasheet Pagina 2 PH6030L Datasheet Pagina 3 PH6030L Datasheet Pagina 4 PH6030L Datasheet Pagina 5 PH6030L Datasheet Pagina 6 PH6030L Datasheet Pagina 7 PH6030L Datasheet Pagina 8 PH6030L Datasheet Pagina 9 PH6030L Datasheet Pagina 10 PH6030L Datasheet Pagina 11

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PH6030L Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C76.7A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2260pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)62.5W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

131nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2780pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

49W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

173mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

619pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

54W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 8.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 3A, 8.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA, 3V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

6-UFBGA, WLCSP

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

480A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

545nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

41000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

940W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

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25nC @ 10V

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 61W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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