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PDTC123TU,115

PDTC123TU,115

Solo per riferimento

Numero parte PDTC123TU,115
PNEDA Part # PDTC123TU-115
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.592
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PDTC123TU Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePDTC123TU,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PDTC123TU, PDTC123TU Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 580,52 KB)
PDFPDTC123TE Datasheet Copertura
PDTC123TE Datasheet Pagina 2 PDTC123TE Datasheet Pagina 3 PDTC123TE Datasheet Pagina 4 PDTC123TE Datasheet Pagina 5 PDTC123TE Datasheet Pagina 6 PDTC123TE Datasheet Pagina 7 PDTC123TE Datasheet Pagina 8 PDTC123TE Datasheet Pagina 9 PDTC123TE Datasheet Pagina 10

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PDTC123TU Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)2.2 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75

RN2109CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

50mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

CST3

DTA114EETL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT3

MUN5111T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

202mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3 (SOT323)

UNRF2A700A

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

ML3-N2

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Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

SMBJ36A-13-F

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

VS-30BQ040TRPBF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

PIC18F63J11-I/PT

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 64TQFP

RCLAMP0854P.TCT

RCLAMP0854P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

NC7SP125P5X

NC7SP125P5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V SC70-5

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

EPM2210F256I5N

EPM2210F256I5N

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

LTM4630AEY#PBF

LTM4630AEY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.3V

AT89S52-24PU

AT89S52-24PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 40DIP

SRN8040-R50Y

SRN8040-R50Y

Bourns

FIXED IND 500NH 10A 7 MOHM SMD

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

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