PDTC115EE,115
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| Numero parte | PDTC115EE,115 |
| PNEDA Part # | PDTC115EE-115 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.736 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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PDTC115EE Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PDTC115EE,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
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PDTC115EE Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 20mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 100 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1µA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-75, SOT-416 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor NPN - Pre-Biased + Diode Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 100 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 350mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SST3 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie * Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 20V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SST3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 330mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore EMT3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
