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PDTC114ET,235

PDTC114ET,235

Solo per riferimento

Numero parte PDTC114ET,235
PNEDA Part # PDTC114ET-235
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 203.406
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PDTC114ET Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePDTC114ET,235
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PDTC114ET, PDTC114ET Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.327,29 KB)
PDFPDTC114ET/DG/B2 Datasheet Copertura
PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 2 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 3 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 4 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 5 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 6 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 7 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 8 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 9 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 10 PDTC114ET/DG/B2 Datasheet Pagina 11

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PDTC114ET Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione230MHz
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-236AB

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3

BCR169WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

UNR411800A

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

510 Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

5.1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SSIP

Pacchetto dispositivo fornitore

NS-B1

DTA114ESATP

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-72 Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SPT

UNR211H00L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

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