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PDTB113EUX

PDTB113EUX

Solo per riferimento

Numero parte PDTB113EUX
PNEDA Part # PDTB113EUX
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.425W
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PDTB113EUX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePDTB113EUX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PDTB113EUX, PDTB113EUX Datasheet (Totale pagine: 27, Dimensioni: 3.639,45 KB)
PDFPDTB143XUX Datasheet Copertura
PDTB143XUX Datasheet Pagina 2 PDTB143XUX Datasheet Pagina 3 PDTB143XUX Datasheet Pagina 4 PDTB143XUX Datasheet Pagina 5 PDTB143XUX Datasheet Pagina 6 PDTB143XUX Datasheet Pagina 7 PDTB143XUX Datasheet Pagina 8 PDTB143XUX Datasheet Pagina 9 PDTB143XUX Datasheet Pagina 10 PDTB143XUX Datasheet Pagina 11

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PDTB113EUX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)1 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione140MHz
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SSIP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

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