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PCF8582C-2T/03,118

PCF8582C-2T/03,118

Solo per riferimento

Numero parte PCF8582C-2T/03,118
PNEDA Part # PCF8582C-2T-03-118
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SO
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.844
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PCF8582C-2T/03 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePCF8582C-2T/03,118
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
PCF8582C-2T/03, PCF8582C-2T/03 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 120,91 KB)
PDFPCF8582C-2P/03 Datasheet Copertura
PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 2 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 3 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 4 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 5 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 6 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 7 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 8 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 9 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 10 PCF8582C-2P/03 Datasheet Pagina 11

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PCF8582C-2T/03 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock100kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 6.0V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

MT29F1G08ABBDAM68A3WC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

120-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

120-TQFP (14x14)

MT61K512M32KPA-14:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR6

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

7GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.31V ~ 1.391V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

180-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

180-FBGA (12x14)

N25Q128A13EW7DFF

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (32M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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