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PCF8570P/F5,112

PCF8570P/F5,112

Solo per riferimento

Numero parte PCF8570P/F5,112
PNEDA Part # PCF8570P-F5-112
Descrizione IC SRAM 2K I2C 100KHZ 8DIP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.300
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PCF8570P/F5 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePCF8570P/F5,112
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
PCF8570P/F5, PCF8570P/F5 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 114,6 KB)
PDFPCF8570T/F5 Datasheet Copertura
PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 2 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 3 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 4 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 5 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 6 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 7 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 8 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 9 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 10 PCF8570T/F5 Datasheet Pagina 11

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PCF8570P/F5 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock100kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-DIP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

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FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

272-LFBGA (14x18)

IS65WV12816BLL-55TA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x10.5)

24AA08H-I/WF16K

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

S99GL064N90TFI060

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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