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PC28F256P33B2F TR

PC28F256P33B2F TR

Solo per riferimento

Numero parte PC28F256P33B2F TR
PNEDA Part # PC28F256P33B2F-TR
Descrizione IC FLASH 256M PARALLEL 52MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.920
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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PC28F256P33B2F TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePC28F256P33B2F TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
PC28F256P33B2F TR, PC28F256P33B2F TR Datasheet (Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.015,36 KB)
PDFPC28F256P33B2F TR Datasheet Copertura
PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 2 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 3 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 4 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 5 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 6 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 7 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 8 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 9 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 10 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 11

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PC28F256P33B2F TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock52MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina85ns
Tempo di accesso85ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-EasyBGA (8x10)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

STK16C88-WF25I

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

28-DIP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

CG8065AAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT28C010-15DM/883

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-CDIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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