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PC28F00AG18AE

PC28F00AG18AE

Solo per riferimento

Numero parte PC28F00AG18AE
PNEDA Part # PC28F00AG18AE
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.212
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PC28F00AG18AE Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePC28F00AG18AE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
PC28F00AG18AE, PC28F00AG18AE Datasheet (Totale pagine: 117, Dimensioni: 1.322,66 KB)
PDFPC28F512G18FE Datasheet Copertura
PC28F512G18FE Datasheet Pagina 2 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 3 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 4 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 5 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 6 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 7 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 8 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 9 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 10 PC28F512G18FE Datasheet Pagina 11

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PC28F00AG18AE Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieStrataFlash™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina96ns
Tempo di accesso96ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-EasyBGA (8x10)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

W9751G6IB-25

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

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Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S71KL512SC0BHV000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

HyperFlash™ + HyperRAM™ KL

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH, DRAM

Dimensione della memoria

512Mbit Flash, 64Mbit RAM

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

Produttore

Intel

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - Boot Block

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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