PBR951,215
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| Numero parte | PBR951,215 |
| PNEDA Part # | PBR951-215 |
| Descrizione | RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.784 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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PBR951 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PBR951,215 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
| Datasheet |
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PBR951 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 10V |
| Frequenza - Transizione | 8GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | 365mW |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 6V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 6V Frequenza - Transizione 14GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Guadagno 18.3dB Potenza - Max 210mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 35mA Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore CMPAK-4 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 55V Frequenza - Transizione 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 6dB ~ 6.5dB Potenza - Max 1700W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 40A Temperatura di esercizio 200°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia 55KT Pacchetto dispositivo fornitore 55KT |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno - Potenza - Max - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 65V Frequenza - Transizione 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 10dB Potenza - Max 87.5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1.5A Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia M115 Pacchetto dispositivo fornitore M115 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 15V Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Guadagno 15dB Potenza - Max 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 8mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50mA Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
