NXPSC06650Q
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| Numero parte | NXPSC06650Q |
| PNEDA Part # | NXPSC06650Q |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC |
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 41.106 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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NXPSC06650Q Risorse
| Brand | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NXPSC06650Q |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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NXPSC06650Q Specifiche
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 6A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 190pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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