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NX138BKSX

NX138BKSX

Solo per riferimento

Numero parte NX138BKSX
PNEDA Part # NX138BKSX
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.682
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NX138BKSX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNX138BKSX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NX138BKSX, NX138BKSX Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 754,61 KB)
PDFNX138BKSF Datasheet Copertura
NX138BKSF Datasheet Pagina 2 NX138BKSF Datasheet Pagina 3 NX138BKSF Datasheet Pagina 4 NX138BKSF Datasheet Pagina 5 NX138BKSF Datasheet Pagina 6 NX138BKSF Datasheet Pagina 7 NX138BKSF Datasheet Pagina 8 NX138BKSF Datasheet Pagina 9 NX138BKSF Datasheet Pagina 10 NX138BKSF Datasheet Pagina 11

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NX138BKSX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 30V
Potenza - Max320mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 40V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

65V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60.7mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

712pF @ 25V

Potenza - Max

3.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-SO

TSM6866SDCA RVG

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 8V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

CAS300M17BM2

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1700V (1.7kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

325A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1076nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 1000V

Potenza - Max

1760W

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