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NX138BKSF

NX138BKSF

Solo per riferimento

Numero parte NX138BKSF
PNEDA Part # NX138BKSF
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V 330MA SOT363
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.064
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NX138BKSF Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNX138BKSF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NX138BKSF, NX138BKSF Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 754,61 KB)
PDFNX138BKSF Datasheet Copertura
NX138BKSF Datasheet Pagina 2 NX138BKSF Datasheet Pagina 3 NX138BKSF Datasheet Pagina 4 NX138BKSF Datasheet Pagina 5 NX138BKSF Datasheet Pagina 6 NX138BKSF Datasheet Pagina 7 NX138BKSF Datasheet Pagina 8 NX138BKSF Datasheet Pagina 9 NX138BKSF Datasheet Pagina 10 NX138BKSF Datasheet Pagina 11

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NX138BKSF Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 30V
Potenza - Max860mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

369pF @ 10V

Potenza - Max

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

DMN16M9UCA6-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2360pF @ 6V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

X3-DSN2718-6

IRF7309QTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AONX38168

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

XSPairFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC, 85nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1.15nF, 4.52nF @ 12.5V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

DMPH6050SPD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 30V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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