NVTFS6H888NTAG
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| Numero parte | NVTFS6H888NTAG |
| PNEDA Part # | NVTFS6H888NTAG |
| Descrizione | T8 80V U8FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.940 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVTFS6H888NTAG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVTFS6H888NTAG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVTFS6H888NTAG, NVTFS6H888NTAG Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 138,27 KB)
  
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NVTFS6H888NTAG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Ta), 12A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 15µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.9W (Ta), 18W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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