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NVTFS5C478NLWFTAG

NVTFS5C478NLWFTAG

Solo per riferimento

Numero parte NVTFS5C478NLWFTAG
PNEDA Part # NVTFS5C478NLWFTAG
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NVTFS5C478NLWFTAG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVTFS5C478NLWFTAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NVTFS5C478NLWFTAG, NVTFS5C478NLWFTAG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 138,3 KB)
PDFNVTFS5C478NLTAG Datasheet Copertura
NVTFS5C478NLTAG Datasheet Pagina 2 NVTFS5C478NLTAG Datasheet Pagina 3 NVTFS5C478NLTAG Datasheet Pagina 4 NVTFS5C478NLTAG Datasheet Pagina 5 NVTFS5C478NLTAG Datasheet Pagina 6

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NVTFS5C478NLWFTAG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C26A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)20W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

H2Pak-2

Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 78A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-6

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

BSC079N10NSGATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.4A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRFU3710Z

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2930pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

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