NVMFS6H836NWFT1G
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| Numero parte | NVMFS6H836NWFT1G |
| PNEDA Part # | NVMFS6H836NWFT1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 5DFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.358 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVMFS6H836NWFT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFS6H836NWFT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMFS6H836NWFT1G, NVMFS6H836NWFT1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 136,21 KB)
  
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NVMFS6H836NWFT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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