NVMFS5C442NLWFAFT3G
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| Numero parte | NVMFS5C442NLWFAFT3G |
| PNEDA Part # | NVMFS5C442NLWFAFT3G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 29A 130A 5DFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.294 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVMFS5C442NLWFAFT3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFS5C442NLWFAFT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMFS5C442NLWFAFT3G, NVMFS5C442NLWFAFT3G Datasheet
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NVMFS5C442NLWFAFT3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 130A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 83W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 280W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.7nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2567pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK33 Pacchetto / Custodia SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Ta), 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-5 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 76pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
