NVMFS5C430NLAFT3G
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Numero parte | NVMFS5C430NLAFT3G |
PNEDA Part # | NVMFS5C430NLAFT3G |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.028 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVMFS5C430NLAFT3G Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | NVMFS5C430NLAFT3G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
NVMFS5C430NLAFT3G, NVMFS5C430NLAFT3G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 131,87 KB)
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NVMFS5C430NLAFT3G Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Ta), 200A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 20V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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