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NVMFS5C406NLT1G

NVMFS5C406NLT1G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFS5C406NLT1G
PNEDA Part # NVMFS5C406NLT1G
Descrizione MOSFET N-CH 40V 362A
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.204
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NVMFS5C406NLT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFS5C406NLT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NVMFS5C406NLT1G, NVMFS5C406NLT1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 156,43 KB)
PDFNVMFS5C406NLWFT1G Datasheet Copertura
NVMFS5C406NLWFT1G Datasheet Pagina 2 NVMFS5C406NLWFT1G Datasheet Pagina 3 NVMFS5C406NLWFT1G Datasheet Pagina 4 NVMFS5C406NLWFT1G Datasheet Pagina 5 NVMFS5C406NLWFT1G Datasheet Pagina 6

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NVMFS5C406NLT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C53A (Ta), 362A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs700µOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9400pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.9W (Ta), 179W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

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NTMFS4936NCT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A (Ta), 79A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3044pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

920mW (Ta), 43W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

IRFB4410ZPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

97A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4820pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

JAN2N6796U

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/557

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.51nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

18-ULCC (9.14x7.49)

Pacchetto / Custodia

18-CLCC

BSZ0945NDXTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

IRF540ZSTRRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

92W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

BC239C

BC239C

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

STPS2H100U

STPS2H100U

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

PIC16F18323-I/SL

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 14SOIC

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN

ADCMP356YKSZ-REEL7

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293D226X0010B2TE3

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CAP TANT 22UF 20% 10V 1411

LTST-C190TBKT

LTST-C190TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR CHIP SMD

CMSH1-40 TR13

CMSH1-40 TR13

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

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IC VREF SERIES 1.25V 8MSOP

S29GL256P11FFIV10

S29GL256P11FFIV10

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CYUSB3014-BZXC

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