NVHL080N120SC1
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Numero parte | NVHL080N120SC1 |
PNEDA Part # | NVHL080N120SC1 |
Descrizione | SIC MOS TO247-3L 80MW 120 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.856 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVHL080N120SC1 Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | NVHL080N120SC1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
NVHL080N120SC1, NVHL080N120SC1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 371,67 KB)
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NVHL080N120SC1 Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 20V |
Vgs (massimo) | +25V, -15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 800V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 348W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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