NTS12120MFST1G
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| Numero parte | NTS12120MFST1G |
| PNEDA Part # | NTS12120MFST1G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.024 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTS12120MFST1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTS12120MFST1G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
NTS12120MFST1G, NTS12120MFST1G Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 104,63 KB)
  
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NTS12120MFST1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 120V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 12A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 55µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1720A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200mA @ 4500V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AD Pacchetto dispositivo fornitore BG-D10026K-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 140°C |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 50V Capacità @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123F Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Littelfuse Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, GEN2 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 45A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 650V Capacità @ Vr, F 960pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 25V Corrente - Media Rettificata (Io) 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 580mV @ 25A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Torex Semiconductor Ltd Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 510mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 82ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 300µA @ 40V Capacità @ Vr, F 180pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
