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NTMYS025N06CLTWG

NTMYS025N06CLTWG

Solo per riferimento

Numero parte NTMYS025N06CLTWG
PNEDA Part # NTMYS025N06CLTWG
Descrizione FET 60V 21A
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 5.058
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMYS025N06CLTWG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMYS025N06CLTWG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTMYS025N06CLTWG, NTMYS025N06CLTWG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 177,27 KB)
PDFNTMYS025N06CLTWG Datasheet Copertura
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NTMYS025N06CLTWG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

16V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

15W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UPAK

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Produttore

IXYS

Serie

PolarHV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPA80R310CEXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2320pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220 Full Pack

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

ZVN4310A

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

850mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

IRF3711SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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