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NTMS4503NR2

NTMS4503NR2

Solo per riferimento

Numero parte NTMS4503NR2
PNEDA Part # NTMS4503NR2
Descrizione MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMS4503NR2 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMS4503NR2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTMS4503NR2, NTMS4503NR2 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 63,01 KB)
PDFNTMS4503NR2G Datasheet Copertura
NTMS4503NR2G Datasheet Pagina 2 NTMS4503NR2G Datasheet Pagina 3 NTMS4503NR2G Datasheet Pagina 4 NTMS4503NR2G Datasheet Pagina 5

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NTMS4503NR2 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)28V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 16V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)930mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

620V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

HUF75345S3ST

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

275nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

325W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ZVN4306AVSTOA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

850mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

Pacchetto / Custodia

E-Line-3

IRF7807VPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRFL4105PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

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T495D337K006ATE040

T495D337K006ATE040

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