NTMFD5C674NLT1G
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| Numero parte | NTMFD5C674NLT1G |
| PNEDA Part # | NTMFD5C674NLT1G |
| Descrizione | T6 60V LL S08FL DS |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.902 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTMFD5C674NLT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTMFD5C674NLT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
NTMFD5C674NLT1G, NTMFD5C674NLT1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 277,22 KB)
  
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NTMFD5C674NLT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 42A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3W (Ta), 37W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 40V Potenza - Max 1.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 830mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
