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NTMFD4901NFT1G

NTMFD4901NFT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTMFD4901NFT1G
PNEDA Part # NTMFD4901NFT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
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NTMFD4901NFT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMFD4901NFT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTMFD4901NFT1G, NTMFD4901NFT1G Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 161,58 KB)
PDFNTMFD4901NFT3G Datasheet Copertura
NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 2 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 3 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 4 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 5 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 6 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 7 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 8 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 9 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 10 NTMFD4901NFT3G Datasheet Pagina 11

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NTMFD4901NFT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual), Schottky
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.3A, 17.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1150pF @ 15V
Potenza - Max1.1W, 1.2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

523pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

Tipo FET

4 P-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-PDIP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1740pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI3552DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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